Plessey推出硅基氮化镓高清单片Micro LED显示技术

据悉,Plessey外延片业务主管Wei Sin Tan博士日前表示:我们已经在单片Micro LED显示技术发展进程实现了一个重要里程碑,据我们所知,这真的是全球首次,能取得此次成就,我们非常自豪。

 

多年来,Plessey一直将单片多像素LED Micro显示器视为户外可视增强现实显示器眼镜的未来,大力推动该技术的发展。Tan指出:这也正是业界所期待的进展,并为Micro LED发光显示应用开辟了全新市场。Plessey则是通过与硅背板制造商Jasper DisplayJDC)合作,利用晶圆键合技术创建了这种可寻址的Micro LED阵列 。

 

Plessey表示:晶圆级键合目前面临着极大的技术挑战,此前是无法在硅基氮化镓(GaN-on-Si LED晶圆和高密度CMOS背板之间实现的。而在进行大量资本投资之后,Plessey已成功将其硅基氮化镓单晶Micro LED晶圆与JDCeSP70硅背板技术进行了晶圆级键合,从而实现了包含可寻址LEDMicro LED显示技术 

 

据悉,该可寻址Micro LED阵列是一个尺寸为1,920*1,080(全高清)的单色电流驱动像素阵列,间距为8μm。每个显示器需要超过两百万个单独的电子键合,以便将该Micro LED像素连接到控制背板。

 

Plessey指出:“JDC背板为每个像素提供了独立的10位单色控制。而将完整的LED晶圆键合到CMOS背板晶圆上,则包括了在晶圆间使用1亿多个微观键合。

 

JDC产品管理副总裁TI Lin表示:“Plessey的单片Micro LED阵列与JDC的高密度硅背板非常匹配。我们的JD27E系列也证明了我们能为合作客户Plessey以及更广泛行业提供所期待的产品,即在设计硅背板时考虑到了他们对Micro LED显示器的各种要求。

 

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来源:OFweek显示网

 


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